Strained-Si single-gate versus unstrained-Si double-gate MOSFETs

机译：应变硅单栅极与非应变硅双栅极MOSFET

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F M Bufler; A Schenk; W Fichtner;
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年度 2004
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1. Strained-Si single-gate versus unstrained-Si double-gate MOSFETs [J] . F M Bufler, A Schenk, W Fichtner Semiconductor science and technology . 2004,第4期

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2. Drain Current Model For Strained-si/sii_agex/strained-si Double-gate Mosfets Including Quantum Effects [J] . S Mohammadi, A Afzali-Kusha, S Mohammadi Semiconductor science and technology . 2011,第9期

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